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| 规格书 |
 MMBF2202PT1 |
| 文档 |
Copper Wire 26/May/2009 Multiple Devices 14/Apr/2010 |
| 产品更改通知 | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 300mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.2 Ohm @ 200mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 2.7nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 50pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 (SOT323) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 300mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商设备封装 | SC-70-3 (SOT323) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.2 Ohm @ 200mA, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 5V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 2.7nC @ 10V |
| 其他名称 | MMBF2202PT1GOSCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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